索尼将退出新一代半导体研究，IBM和东芝将继续
2007.11.07索尼将退出新一代半导体研究，IBM和东芝将继续
索尼将退出与美国IBM及东芝三方共同推进的新一代半导体制造技术的基础研究。随向东芝出售“Play Station 3”所用核心半导体“Cell”的生产设备，也退出了制造方法等的技术开发，而将半导体业务向CMOS（互补金属氧化物半导体）传感器等集中。IBM和东芝两家公司将继续共同进行基础研究，力争尽快开始新一代半导体业务。
索尼将要退出三公司原订于2005年底～2010年底进行的电路线宽32纳米以后的半导体制造所需材料等的研究。此前，三公司的技术人员一直聚集在美国IBM基地共同进行研究。
原计划在2010年底之前取得成果，确立比索尼目前在Cell生产中采用的65纳米工艺先进两代的32纳米制造技术。虽然索尼将退出Cell生产，但三公司已经开发完成了下一代的45纳米制造技术。 （11月7日 《日本经济新闻》晨报）
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